Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
structure MOS à grilles composées — MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. composite gate MOS; composite gate MOS structure; stacked gate MOS structure vok. Mehrebenengate MOS Struktur, f rus. МОП структура с многоуровневыми… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à canal n — MOP darinys su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel MOS; n channel MOS structure; n MOS structure vok. n Kanal MOS Struktur, f rus. n канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом n типа, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS complémentaire — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS en mode enrichissement/déplétion — praturtintosios ir nuskurdintosios veikos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. enhancement/depletion MOS; enhancement/depletion MOS structure vok. Enhancement/Depletion MOS Struktur, f; MOS Struktur des Anreicherungs… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grille de polysilicium — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grille à la base de métal réfractaire — MOP darinys su sunkialydžio metalo užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. refractory MOS; refractory metal gate MOS structure vok. MOS Struktur mit dem Gate aus schwerschmelzendem Metall, f; Refractory MOS Struktur, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à grille inférieure — MOP darinys su apatine užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. back gate MOS structure vok. Back Gate MOS Struktur, f; MOS Struktur mit rückwärtigem Substratanschluß, f rus. МОП структура с нижним затвором, f pranc. structure … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à deux diffusions et rainures isolantes — grioveliais izoliuotas dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. trench double diffusion MOS; trench double diffusion MOS structure vok. Doppeldiffusion MOS Struktur mit Isolationsgräben, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à double diffusion avec rainure en V — dvikartinės difuzijos MOP darinys su V grioveliais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove double diffused MOS; V groove double diffused MOS structure vok. Doppeldiffusions V Graben MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная МОП … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS à canaux unifiés — MOP darinys su vienarūšiais kanalais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single channel MOS; single channel MOS structure vok. Einkanal MOS Struktur, f rus. МОП структура с однотипными каналами, f pranc. structure MOS à canaux… … Radioelektronikos terminų žodynas
